第246章 如果有这一半的速度，再加上这质量…

到晚上十点半左右，陈舟把张一凡送出了房间。

张一凡得抓紧时间赶回学校了，据他所说，他们的宿管阿姨简直不要太凶。

如果被锁在门外，写检讨都是轻的。

搞不好还要被通报批评呢。

见他说的这么严重，陈舟自然也不敢耽误他的时间。

只是他很奇怪，宿管阿姨不都是和蔼可亲的吗？

要是晚归，不都是赶紧让你进来，生怕耽误你休息的吗？

帮张一凡喊了辆出租车，看着他上车，陈舟才再次回到房间。

一回去，就看到沈靖打了个哈欠。

陈舟不禁笑了笑，今天起得其实挺早的，而且在高铁上并没有补觉，这会这个点，确实有点犯困了。

“学长，先回去休息吧，明天四十三所的实验也要正式开始了。”

“没事，我再整理两篇。”沈靖说完，又打了个哈欠。

他是真的有点困了，如果按照一天的活动时间来算的话，那他已经连续近16个小时没有休息了。

“好啦，这事不急在一时，明天再弄。”陈舟说着过去帮沈靖关了电脑，督促他赶紧去睡觉。

沈靖看了陈舟一眼，把东西收拾好，朝自己房间走去。

临出门时，他突然停下脚步，转头问陈舟：“你该不会熬夜看文献吧？”

陈舟轻声笑道：“不至于，我再看一会就睡了。”

沈靖将信将疑的离开了，但回到房间后他觉得不对，这小子的一会到底是个什么概念呢？

想了一会，沈靖把电脑重新打开了。

工作，具有专注力的工作，将抵消那股疲惫的困意！

给自己打了个气，沈靖便开始继续了。

陈舟这边，等沈靖离开后，便坐回桌子前，继续看文献。

还剩两个，直流电弧等离子喷射CVD法和微波等离子体CVD法。

直流电弧等离子喷射CVD法，也叫DAPCVD法。

这是一种放电区内隐的直流电弧等离子体沉积法。

这种方法的优点就是，有极快的沉积速度。

是极快，不是一般的快！

在上世纪90年代的时候，就有实验室利用阴阳极呈直

角的反应器实现了930m/h的高速生长。

这可是930m/h，不是930μm/h！

而且，就算是930μm/h，那也是远高于现在四十三所制备金刚石薄膜的40μm/h的。

更不要说930m/h了。

相比之下，一个的速度就是火箭，另一个则是自行车。

或许连自行车都算不上。

也是因为这种告诉生长的速率，这种方法一度成为热点方法。

制备工艺的话，也并不复杂。

主要就是在杆状阴极和环形阳极之间施加直流电压，当气体通过时引发电弧，加热气体，高温膨胀的气体从阳极嘴高速喷出，形成等离子体射流。

引弧的气体通常是氩气，等形成等离子体射流后，通入反应气体甲烷和氢气，甲烷和氢气被离化，并达到水冷沉积台的衬底，在衬底上成核、生长金刚石薄膜。

而且这种方法制备金刚石薄膜，不禁速度快，而且质量高，还无电磁污染。

但是，由于喷射等离子体的速度场合温度场不均匀，使其沉积范围内膜厚不均，会呈梯形分布。

在沉积速度过快时，膜的表面不平整，就会大大降低膜的致密度。

看到这，陈舟古怪的笑了笑：“看来，太快了也不好……”

但是整体来说，这种方法还是很有研究潜力的。

陈舟在草稿纸上做着记录，并把自己的想法记在一旁。

把DAPCVD法的相关文献看完后，陈舟右手滑动鼠标，点开了一个新的PDF文件。

最后一个制备方法。

微波等离子体CVD法，也就是MPCVD法。

是四十三所所采用的的方法。

也是陈舟查这么文献的目的。

和DAPCVD法被报道的时间，仅相隔一年。

这也是目前用于沉积金刚石薄膜最为广泛的方法。

这种方法最先是通过一种轴向的天线耦合器，将2~5W的矩形微波进行导转换，在大气压下形成等离子体。

而高压等离子体就会由耦合器的“针孔”处喷射到水冷的样品台上，继而形成金刚石薄膜。

和DAPCVD法使用的气源相同，主要

是氩气，反应气体是甲烷和氢气。

现如今，这种方法已经形成了多种形式。

不过不管是按真空室的形成来分的石英管式、石英钟罩式和带有微波窗的金属腔体式，还是按微波与等离子体的耦合方式来分的表面波耦合式、直接耦合式和天线耦合式。

它们的沉积速率，都是和微波功率有关的。

举个例子，用5kW微波功率的MPCVD法，可以以10μm/h的速率沉积工具级金刚石薄膜，以8μm/h的速率沉积热沉级金刚石薄膜，以3μm/h

的速率沉积光学级金刚石薄膜。

而用10kW微波功率的时候，他的沉积速率可以达到25μm/h。

也就是说，通过增大微波功率，可以提高金刚石薄膜的沉积速率。

除此之外，金刚石薄膜的沉积速率还和气体压力有关。

在高微波功率，高的甲烷与氢气体积流量比，160Torr气体压力下，可以制备出150μm/h的多晶金刚石薄膜。

如果在同等条件下，将压力提高至310Torr下，可以制备出165μm/h的单晶金刚石薄膜。

“气体压力……”

“微博功率……”

陈舟在草稿纸上写下这两个词汇。

拿笔点了两下，随手便划了两个圈。

这是重点。

放下笔，陈舟滑动鼠标，继续看文献的内容。

MPCVD法之所以会成为最广泛的方法，是因为这种方法比DAPCVD法制备的金刚石薄膜质量更好。

很好的解决了膜的致密度不高的问题同时，还可以产生大体积的金刚石薄膜。

此外，这种方法还能在曲面或者复杂表面上进行金刚石薄膜的沉积。

而且MPCVD法无内部电极，可以避免电极放电污染和电极腐蚀。

可以说是满足了制备高质量金刚石薄膜的条件。

但是，就像四十三所实验室的装置一样，MPCVD法的沉积速率是硬伤。

看完了这篇详细介绍MPCVD法的文献后，陈舟不禁想到。

“如果有DAPCVD法一半的速度，再加上MPCVD法的制备质量，那这事不就成了吗？”